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IPD400N06N G /MOSFET N-Ch 60V 27A DPAK-2
IPD400N06N G的规格信息
IPD400N06N G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:27 A

Rds On-漏源导通电阻:40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:68 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm

长度:6.5 mm

系列:OptiMOS 2

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:6.22 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:23 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:24 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns

典型接通延迟时间:9 ns

零件号别名:IPD400N06NGBTMA1 IPD4N6NGXT SP000443744

单位重量:4 g

供应商IPD400N06N G
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深圳市威雅利发展有限公司IPD400N06N G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD400N06N G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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